金属ケイ化物接点の形成方法及び金属ケイ化物接点を備える構造体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：社本一夫 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-243160
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150271
出願日： 1998年08月28日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】MOSデバイスのゲート電極及びソース/ドレイン領域の上に面積が増大された金属ケイ化物接点を形成すす方法を提供する。【解決手段】金属ケイ化物接点90、92、96は、最初に、シリコン基板2及び、ポリシリコンゲート電極6の露出表面の上に、酸化ケイ素層50を形成することにより形成される。次に未反応の金属が除去される。これによりポリシリコンゲート電極の上面及び電極の側壁の上の酸化物層にノッチを形成することにより露出されたゲート電極の側壁の上方部分の上に、金属ケイ化物のゲート接点96が残る。またソース/ドレイン領域の露出されたシリコン表面の上、及び、窒化物スペーサの下の酸化物に形成された上記ノッチによって露出された窒化物スペーサの下のシリコン基板の部分の上にも、面積が増大された金属ケイ化物のソース/ドレイン接点90、92が形成される。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に形成された集積回路構造のMOSデバイスに改善された金属ケイ化物接点を形成する方法であって、(a) シリコン基板の上及びポリシリコンゲート電極の上に酸化ケイ素層を形成する工程と、(b) 前記ポリシリコンゲート電極の側壁上の前記酸化物の上に窒化ケイ素の側壁スペーサを形成する工程と、(c) 前記窒化ケイ素スペーサに隣接して前記シリコン基板にソース/ドレイン領域を形成する工程と、(d) 下記工程、(i) 前記ゲート電極の上面から、及び、前記ソース/ドレイン領域の上の表面から前記酸化物を除去し、及び、(ii) 前記窒化ケイ素スペーサと前記基板との間の酸化物、及び、前記窒化ケイ素スペーサと前記ゲート電極との間の酸化物のそれぞれの露出された縁部に、1又はそれ以下のアスペクト比を各々有するノッチを形成する工程を含む、酸化物エッチング処理を前記構造体に実行する工程と、(e) 前記構造体の上、及び、前記ノッチの中に、露出されたシリコンと反応して金属ケイ化物接点を形成することのできる金属層を堆積させる工程と、(f) 前記金属層を該金属層が接触している前記シリコンの表面と反応させて、前記金属ケイ化物接点を形成する工程とを備えており、これにより、前記ポリシリコンゲート電極の上面、及び、前記ゲート電極の前記側壁の上の前記酸化物層に前記ノッチを形成することによって露出された前記ゲート電極の前記側壁の上方部分の上に、金属ケイ化物のゲート接点を形成し、かつ、前記ソース/ドレイン領域の上の前記シリコン基板の表面の上、及び、前記窒化物スペーサの下の前記酸化物層に形成された前記ノッチによって露出された前記窒化物スペーサの下の前記シリコン基板の部分の上に、面積が増大された金属ケイ化物のソース/ドレイン接点を形成すること、を特徴とする方法。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/28 301 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 29/78 301 P , H01L 21/28 301 T , H01L 27/08 102 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

サリサイド型MOSFET及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-210584 出願人：沖電気工業株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-016538 出願人：株式会社東芝
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-021495 出願人：ソニー株式会社

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