特許
J-GLOBAL ID：200903033399992207
熱電変換素子集合体、熱電モジュール及び熱電変換素子集合体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
村田 実
, 村田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-354378
公開番号（公開出願番号）：特開2002-158379
出願日： 2000年11月21日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：
【要約】【課題】熱電モジュールにおいて、熱電変換素子に偏荷重が作用するおそれを低減する。【解決手段】n型半導体6aとp型半導体6bとが交互に電極3をもって直列に接続される熱電変換素子群が一対のセラミックス基板4をもって挟持されている。そのうち、n型半導体6aとp型半導体6bとは、板状の熱電変換素子集合板2内にその両板面から露出するようにしつつ埋め込まれ、電極3は、n型半導体6aとp型半導体6bとを跨ぐようにした状態で各セラミックス基板4と熱電変換素子集合板2との間に挟持されている。これにより、偏荷重が電極3を介してn型半導体6a、p型半導体6bに働くとしても、その荷重は、n型半導体6a、p型半導体6bだけでなく、それらを埋め込む熱電変換素子集合板2によっても受け止められることになる(荷重分散)。
請求項（抜粋）：
板状の絶縁体に複数の貫通孔が形成され、前記各貫通孔内に熱電変換素子がそれぞれ埋め込まれ、前記各熱電変換素子が、前記各貫通孔の両端から外部に露出している、ことを特徴とする熱電変換素子集合体。
IPC (3件)：
H01L 35/32
, H01L 35/16
, H01L 35/34
H01L 35/32 A
, H01L 35/16
, H01L 35/34
