特許
J-GLOBAL ID：200903033423442256
Bi系強誘電体薄膜形成用塗布液およびこれを用いたBi系強誘電体薄膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-044583
公開番号（公開出願番号）：特開2001-316117
出願日： 2001年02月21日
公開日（公表日）： 2001年11月13日
要約：
【要約】【課題】 有機成分の分解温度が低く、短時間で無機化が可能で、かつ、分解後の重量減少率が小さいBi系強誘電体薄膜形成用塗布液およびこれを用いたBi系強誘電体薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 Bi系強誘電体薄膜を形成するための塗布液であって、該塗布液が、Bi系強誘電体薄膜を構成する金属元素を含む有機系金属化合物と、トリグリム、テトラグリム、ジピバロイルメタン、ピナコール、ピバル酸、ヘキシレングリコール等に代表される特定の化合物を含有するBi系強誘電体薄膜形成用塗布液、およびこれを用いたBi系強誘電体薄膜の形成方法。
請求項（抜粋）：
Bi系強誘電体薄膜を形成するための塗布液であって、該塗布液が、Bi系強誘電体薄膜を構成する金属元素を含む有機金属化合物と、下記一般式(I)〜(V)【化1】 H3CO-(C2H4O)n-CH3 (I) (R1)3C-CO-CH2-CO-C(R1)3 (II) (R1)2C(OH)-C(OH)(R1)2 (III) (R1)3C-COOH (IV) (R1)2C(OH)-CH2-CH(OH)R1 (V)(式中、R1は炭素原子数1〜3のアルキル基を表し、nは2〜5の整数を表す)で表される化合物の中から選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とする、Bi系強誘電体薄膜形成用塗布液。
IPC (4件)：
C01G 35/00
, C01G 29/00
, C09D185/00
, H01L 21/316
C01G 35/00 C
, C01G 29/00
, C09D185/00
, H01L 21/316 G
