半導体ウェハの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：衞藤彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-112915
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270397
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：

【要約】【目的】平面研削されたウェハの研磨時間を短くして、半導体ウェハを効率よく製造することができる半導体ウェハの製造方法を提供する。【解決手段】インゴットをスライスしてウェハを得る。スライスされたウェハの両切断面を平面研削する。平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッチングする。アルカリエッチングされたウェハの周縁部を面取りする。面取りされたウェハを両面研磨して鏡面加工する。両面研磨されたウェハを洗浄し、その表面(ひょう面)に付着したパーティクル等を除去する。洗浄されたウェハを乾燥し、半導体ウェハを得る。

請求項（抜粋）：

次の工程からなることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。(1)インゴットをスライスしてウェハを得るインゴット切断工程。(2)スライスされたウェハの表面(おもて面)または表裏両面を平面研削する平面研削工程。(3)平面研削されたウェハをアルカリ溶液によりエッチングするアルカリエッチング工程。(4)アルカリエッチングされたウェハの周縁部を面取りする面取り工程。(5)面取りされたウェハの表面(おもて面)または表裏両面を研磨する研磨工程。

IPC (4件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , H01L 21/304 301 , H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/304 321 B , H01L 21/304 321 A , H01L 21/304 301 B , H01L 21/306 M

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-330726
特開平4-226031
半導体ウエーハの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-137763 出願人：信越半導体株式会社

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