特許
J-GLOBAL ID：200903033645538936
半導体モジュールの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松井 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-298057
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111936
出願日： 2003年08月22日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】 低温かつ短時間の接合を可能とし、また、はんだ接合媒体を用いることなく接合を行うことにより、より信頼性の高い接合部を得ることが可能な、半導体モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】 回路基板30上の第1回路電極31と、半導体素子10の裏面側素子電極11とを接合する第1接合工程と、半導体素子10の表面側素子電極12と、リードフレーム40の一端とを接合する第2接合工程と、リードフレーム40の他端と、回路基板30上に形成された第2回路電極32とを接合する第3接合工程とを含み、接続されるべき1対の電極の一方に、低融点金属層20、21を形成した後に加熱加圧し、低融点金属層20、21を前記1対の電極中に固液拡散させることによって、電極を接合する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
回路基板上に形成された第1回路電極と、表裏両面に素子電極が形成された半導体素子の前記裏面側素子電極とを接合する第1接合工程と、前記半導体素子の前記表面側素子電極と、線状あるいは板状の接続部材の一端とを接合する第2接合工程と、前記接続部材の他端と、前記回路基板上に形成された第2回路電極とを接合する第3接合工程とを含む半導体モジュールの製造方法であって、
前記第1接合工程、第2接合工程及び第3接合工程の少なくとも1つの工程において、接続されるべき1対の電極の少なくとも一方に、低融点金属層をあらかじめ形成した後、前記1対の電極を対向させて、少なくとも低融点金属が溶融する温度で加熱加圧し、前記低融点金属層を前記1対の電極中に固液拡散させることによって、前記1対の電極を接合することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (5件)
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