特許
J-GLOBAL ID：200903031824967910

半導体装置及びその製造方法

発明者：
細美 英一

細美 英一 について

, 
小塩 康弘

小塩 康弘 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-088452
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274195
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 電極間の接合層のボイドの発生を減少することができ、かつ接合層の機械的強度を向上することができ、熱サイクルに対する信頼性を向上することができる半導体装置を提供する。また、この半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 フリップチップ構造の半導体装置1において、第1の電極12とAuを主組成とするバンプ電極30との間に、Au-Sn金属間化合物を主組成とする接合層40を備えている。接合層40は、その体積の50原子%以上がAu1-Sn1金属間化合物、Au1-Sn2金属間化合物、Au1-Sn4金属間化合物の1つ又は複数により生成されている。
請求項（抜粋）：
第1の電極と、前記第1の電極上の少なくとも金を主組成とするバンプ電極と、前記バンプ電極上の第2の電極とを備え、前記第1の電極とバンプ電極との間に、前記バンプ電極の金と低融点金属との金属間化合物を主組成とする接合層を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12
FI (3件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 604 J ,  H01L 23/12 L
Fターム (5件)：
5F044LL04 ,  5F044LL11 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04 ,  5F044QQ05
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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