特許
J-GLOBAL ID：200903033678891372

半導体素子の製造方法

発明者：
李 晟求

李 晟求 について

, 
鄭 載昌

鄭 載昌 について


出願人/特許権者：
株式会社ハイニックスセミコンダクター

株式会社ハイニックスセミコンダクター について


代理人 (2件)： 荒船 博司 ,  荒船 良男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-241537
公開番号（公開出願番号）：特開2007-180489
出願日： 2006年09月06日
公開日（公表日）： 2007年07月12日
要約：
【課題】解像限界を超えるパターン形成を可能にする半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子の微細パターンの形成方法において、シリコンが含まれた感光膜を形成した後、酸素プラズマ工程を行なうことにより感光膜を除いたコーティング及び食刻工程を1回のみ行なうようにして工程を単純化させ、時間及び費用を低減させる。【選択図】図2c
請求項（抜粋）：
(1)半導体基板の上部に被食刻層、ハードマスク層、反射防止膜及びシリコンを含む第1の感光膜を順次形成する段階と、 (2)前記第1の感光膜を第1の露光マスクを利用して露光した後現像して第1の感光膜パターンを形成する段階と、 (3)前記第1の感光膜パターンにO2プラズマを処理する段階と、 (4)前記結果物の上部に第2の感光膜を形成し、第2の露光マスクを利用して第1の感光膜パターンと重なり合わない第2の感光膜パターンを形成する段階と、 (5)前記第1及び第2の感光膜パターンをマスクに反射防止膜を食刻した後、前記第1及び第2の感光膜パターンを除去して反射防止膜パターンを形成する段階と、 (6)前記反射防止膜パターンを食刻マスクに前記ハードマスク層を食刻してハードマスクパターンを形成した後、前記ハードマスクパターンを食刻マスクに前記被食刻層を食刻して被食刻層パターンを形成する段階とを含む半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/26
FI (4件)：
H01L21/30 514A ,  G03F7/26 511 ,  H01L21/30 502C ,  H01L21/30 573
Fターム (12件)：
2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096HA07 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  2H096KA02 ,  2H096KA08 ,  2H096KA18 ,  2H096KA19 ,  5F046AA13 ,  5F046CA04 ,  5F046NA01
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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