特許
J-GLOBAL ID：200903013075302401

光リソグラフィによって半導体基板をパターニングするためのフォトマスク製造方法

発明者：
キルヒェ, オリバー

キルヒェ, オリバー について

, 
ゼバルト, ミヒャエル

ゼバルト, ミヒャエル について


出願人/特許権者：
インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト

インフィネオン テクノロジーズ アクチエンゲゼルシャフト について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  森下 夏樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-509512
公開番号（公開出願番号）：特表2005-535910
出願日： 2003年04月30日
公開日（公表日）： 2005年11月24日
要約：
本発明は、半導体基板をパターニングするためのフォトマスク製造方法に関する。その際、シリコン含有基を有するポリマーを含むレジストが使用される。酸素を含むプラズマ中においてパターニングする際に、シリコン原子は、酸化シリコンに変換され、酸化シリコンの下に位置する吸収材の領域は、プラズマによる損傷から保護される。本発明の製造方法は好ましくは、光リソグラフィ用のフォトマスクの製造方法である。本発明の方法で製造されるフォトマスクには、吸収層内において超微細な間隔を有するパターンが形成される。
請求項（抜粋）：
光リソグラフィ用のフォトマスクの製造方法であって、 透明基板が準備され、 該透明基板の上に、吸収材料からなる第1の層が堆積され、 該第1の層の上に、電子線リソグラフィ用のレジスト層が提供され、ここで、該レジスト層は、少なくとも、シリコン原子を含むフィルム状ポリマーおよび溶媒を含み、 レジストに含まれる溶媒を蒸発させることによって、該フィルム状ポリマーを含む第2の層が得られ、 該第2の層を集束電子線によって描画することによって、該第2の層内に露光領域および非露光領域を含む潜像が形成され、 該第2の層の上に該潜像の露光領域を溶解する現像液が付与されることによって、パターンを有するパターニングされたレジストが得られ、ここで、該パターン内において、該非露光領域にはランドが形成され、該露光領域には該ランド間に配置されたトレンチが形成され、 該パターニングされたレジストの該パターンが該吸収材料からなる該第1の層へ転写される、フォトマスクの製造方法。
IPC (4件)：
G03F7/075 ,  G03F1/08 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F7/075 521 ,  G03F1/08 A ,  G03F7/11 503 ,  H01L21/30 573
Fターム (22件)：
2H025AA02 ,  2H025AA10 ,  2H025AB08 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BF30 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025DA19 ,  2H025DA40 ,  2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB05 ,  2H095BB16 ,  2H095BB28 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  5F046NA01 ,  5F046NA14 ,  5F046NA18
引用特許：
審査官引用 (16件)
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