特許
J-GLOBAL ID：200903033766803700
シリカ質セラミックス被膜の形成方法及び同方法で形成されたセラミックス被膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河備 健二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-358621
公開番号（公開出願番号）：特開平10-194753
出願日： 1996年12月30日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：
【要約】【課題】 耐摩耗性、耐熱性、耐蝕性等に優れ、且つ緻密性、均質性に優れているのみならず、例えば半導体絶縁膜に適用する場合にも半導体素子に悪影響を与えないシリカ質セラミックス被膜の形成方法並びに本方法によって形成されるシリカ質セラミックス被膜を提供する。【解決手段】 ポリシラザン(変性物)を、基材上に塗布した後、低温でアミン類及び水蒸気と接触させた後、乾燥雰囲気中で焼成する。
請求項（抜粋）：
主として下記一般式(I)【化1】(式中、R1、R2及びR3は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、若しくはこれらの基以外でフルオロアルキル基等のケイ素に直結する基が炭素である基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基又はアルコキシ基を表す。但し、R1、R2及びR3の少なくとも1つは水素原子である。)で表される構造単位からなる骨格を有する数平均分子量が約100〜50,000のポリシラザン又はその変性物を基材上に塗布後、0°C〜100°Cの温度でアミン類及び水蒸気と接触させた後、乾燥雰囲気中で焼成することを特徴とするシリカ質セラミックス被膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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