特許
J-GLOBAL ID：200903033836663935
窒化物半導体結晶ないしそれを用いた発光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
高橋 敬四郎
, 来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-230484
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053608
出願日： 2006年08月28日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：
【課題】 白色光に近い光、または可視領域とほぼ同等もしくはそれに近い波長領域を得られる窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板上の第1窒化物半導体層に、基板に垂直な断面における基板表面に対する傾斜角が滑らかに変化する部分を有するレジストパターンを形成する工程と、レジストパターンをマスクとして基板にエッチングを施して、第1窒化物半導体層にレジストパターンを転写する工程と、パターニングした第1窒化物半導体層上に発光層を成長させる工程とを含む方法により窒化物半導体発光素子を製造する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(a)基板上の第1窒化物半導体層に、該基板に垂直な断面における基板表面に対する傾斜角が滑らかに変化する部分を有するレジストパターンを形成する工程と、
(b)前記レジストパターンをマスクとして基板にエッチングを施して、前記第1窒化物半導体層にパターンを転写する工程と、
(c)パターニングした前記第1窒化物半導体層上に活性層を形成する工程と
を含む窒化物半導体結晶ないしそれを用いた発光素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L33/00 C
, H01L33/00 F
, H01L21/205
5F041AA11
, 5F041AA12
, 5F041CA05
, 5F041CA10
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F045AA04
, 5F045AB18
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AF04
, 5F045AF19
, 5F045BB16
, 5F045CA10
, 5F045DA53
