半導体力学量センサ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-221697
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373991
出願日： 2001年07月23日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】センサ出力と故障診断用出力とを検出可能とすべくゲージ抵抗によってブリッジ回路が形成されたダイアフラム型の半導体圧力センサにおいて、ゲージ抵抗の位置ずれによる検出感度の変動を抑制する。【解決手段】ブリッジ回路を構成する4個のゲージ抵抗を各々2分割された分割ゲージ抵抗Ra1、Ra2、Rb1、Rb2、Rc1、Rc2、Rd1、Rd2とし、分割ゲージ抵抗の中間端子のうち圧力の非印加状態にて電位が等しい組合せの中間端子における電位差を故障診断用出力として用い、さらに、8個の分割ゲージ抵抗のうち4個の抵抗Ra1、Ra2、Rd1、Rd2を、ダイアフラム14の中心近傍にて互いに応力の分布が均一となるように配置し、他の4個の抵抗Rb1、Rb2、Rc1、Rc2を、ダイアフラム14の外周端部近傍にて互いに応力の分布が均一となるように配置する。

請求項（抜粋）：

力学量の印加によって歪むダイアフラム(14)を有する半導体基板(10)と、この半導体基板の一面側に形成され、前記ダイアフラムの歪みにより発生する応力に基づいて抵抗値が変化する4個のゲージ抵抗(Ra、Rb、Rc、Rd)とを備え、これら4個のゲージ抵抗によりブリッジ回路(20)が構成され、このブリッジ回路の2個の中点(B、C)における電位差(Vout1)をセンサ出力として用いるようにした半導体力学量センサにおいて、前記4個のゲージ抵抗は、それぞれ複数個に分割された分割ゲージ抵抗(Ra1、Ra2、Rb1、Rb2、Rc1、Rc2、Rd1、Rd2)となっており、前記複数個の分割ゲージ抵抗における分割された間を結ぶ端子のうち前記力学量が印加されていない状態において電位が等しい組合せの端子(B1、C1)における電位差(Vout2)が、故障診断用出力として用いられており、前記複数個の分割ゲージ抵抗は、前記ダイアフラムの中心近傍にて互いに前記応力の分布が均一となるような位置に配置された分割ゲージ抵抗(Ra1、Ra2、Rd1、Rd2)よりなる第1の群と、前記ダイアフラムの外周端部近傍にて互いに前記応力の分布が均一となるような位置に配置された分割ゲージ抵抗(Rb1、Rb2、Rc1、Rc2)よりなる第2の群とよりなることを特徴とする半導体力学量センサ。

IPC (4件)：

H01L 29/84 , G01L 9/04 101 , G01P 15/12 , G01P 21/00

FI (4件)：

H01L 29/84 B , G01L 9/04 101 , G01P 15/12 , G01P 21/00

Fターム (18件)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF49 , 2F055GG16 , 2F055GG33 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA03 , 4M112CA04 , 4M112CA09 , 4M112CA10 , 4M112CA13 , 4M112DA02 , 4M112EA03 , 4M112FA01

引用特許：

出願人引用 (7件)

特開昭60-077470
特開平2-039574
特開平2-062928

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審査官引用 (7件)

特開昭60-077470
特開平2-039574
特開平2-062928

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