特許
J-GLOBAL ID:200903033893185292

太陽電池およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-212287
公開番号(公開出願番号):特開2001-044463
出願日: 1999年07月27日
公開日(公表日): 2001年02月16日
要約:
【要約】【課題】裏面反射を有効に使える太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池の光入射側48から見て、p-型Si層25とn+型Si層24の順に配列して半導体層を積層する。半導体層24、25の裏面に、n+型Si層24を超えp-型Si層25をもえぐる凹部(スクライブライン)45があり、前記凹部45のなかにp+型Si層26を介して正電極32が埋め込まれている。また、SUS基板などで構成される負電極27が絶縁領域43を介して正電極32を覆い、負電極27がn+型Si層24と接している。正電極26が光反射性材料で構成される。また、負電極27も光反射性材料で構成され、半導体層24、25の全体を覆っている。
請求項(抜粋):
半導体層に接した正電極と負電極とを有し、前記正電極と前記負電極とが前記半導体層の光入射面と反対側の面にある太陽電池において、前記半導体層の裏面に凹部があり、前記凹部のなかに前記正電極と前記負電極のうち一方の電極があり、前記半導体層の平面の法線方向から見て、他方の電極が前記一方の電極と重なる位置にあることを特徴とする太陽電池。
FI (3件):
H01L 31/04 H ,  H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 F
Fターム (15件):
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051BA15 ,  5F051CB11 ,  5F051CB12 ,  5F051CB27 ,  5F051CB30 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051GA20 ,  5F051HA07
引用特許:
審査官引用 (12件)
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