薄膜トランジスタとその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：朝日奈宗太 , 佐木啓二 , 秋山文男 , 田中弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-181421
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304140
出願日： 2003年06月25日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：

【課題】薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。【解決手段】微結晶膜を有するTFTで、チャネルは微結晶シリコン層とアモルファスシリコン層から構成される。微結晶シリコン層はゲート電極近くに設置されて第一チャネル層となり、水平な電流経路を提供する。アモルファスシリコン層はゲート電極から離れて形成されて第二チャネル層となり、垂直な電流経路を提供する。よって、トランジスタの駆動電流は、微結晶シリコン層の高導電のために増加する。さらに、アモルファス半導体層の高抵抗のため、トランジスタがオフの時に生じる不要な電流は減少する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタであって、ゲート電極と、前記ゲート電極上のゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上の微結晶半導体層と、前記微結晶半導体層上のアモルファス半導体層と、前記アモルファス半導体層上と前記ゲート電極の反対側にそれぞれ形成されたソース領域とドレイン領域と、前記ソース、ドレイン領域上に蒸着されたソース電極とドレイン電極と、からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H05B33/14

FI (5件)：

H01L29/78 618E , H05B33/14 A , H01L29/78 618A , H01L29/78 616V , H01L29/78 626C

Fターム (33件)：

3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007GA00 , 5F110AA07 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110HK09 , 5F110HK15 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110NN02 , 5F110NN27

引用特許：

審査官引用 (4件)

光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-248736 出願人：カシオ計算機株式会社
電界効果型薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-250617 出願人：日本電気株式会社
表示装置の製造方法及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-233408 出願人：ソニー株式会社

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