特許
J-GLOBAL ID：200903033940580901

接続構造、接続構造の形成方法、該接続構造を有する半導体装置、及び接続構造の設計方法

発明者：
角 博文

角 博文 について

, 
山根 千種

山根 千種 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-169028
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017760
出願日： 1994年06月28日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】 微細構造の配線についても、電気的に安定したオーミック接合が可能となり、安定した配線構造が得られる接続構造、接続構造の形成方法、該接続構造を有する半導体装置、及び接続構造の設計方法を提供する。【構成】 ?@Si等の半導体層1と第1の接続材料層21(Ti)とが接続し、更に該第1の接続材料層21上に第2の接続材料層22(TiN)が接続した構造を有し、半導体層1と接続する該第1の接続材料層21であるTi等はその形成時の膜厚を4nm以上とし及び/または、第2の接続材料層であるTiN等の膜厚を1nm以上とする。?A接続構造のパターンルール(3.5μmルール等)と、各接続材料の材料種であるTi,TiN,W等の種類とによって、これら接続材料層の膜厚の最適値を求める。
請求項（抜粋）：
半導体層と第1の接続材料層とが接続した構造を有する接続構造において、該第1の接続材料層は金属層もしくは半導体金属化合物層であり、半導体層と接続する該第1の接続材料層である金属層もしくは半導体金属化合物層はその形成時の膜厚を4nm以上として得たものであることを特徴とする接続構造。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/43
FI (2件)：
H01L 21/90 B ,  H01L 29/46 R
引用特許：
審査官引用 (6件)
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