特許
J-GLOBAL ID：200903033961185719
固体撮像素子及びその制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野田 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-302873
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140149
出願日： 2002年10月17日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】CMOS型固体撮像素子のような素子構造を有する固体撮像素子を用いて全画面同時シャッタ機能を実現する場合に、露光時間が受ける制約を軽減し、迅速な動作で十分な露光時間を確保する。【解決手段】埋め込み型PD219の信号電荷をFD216に転送する転送Tr211とは別に、埋め込みPD219の信号電荷を排出するための排出Tr215を設ける。そして、この排出Tr215をONしたときのチャネル電位と、転送Tr211をONしたときのチャネル電位の両方をPD219の完全空乏化電位よりも高くなるように設定する。これにより、PD219の信号電荷を転送Tr211と排出Tr215の両方から完全転送できるようにし、FD216から信号電荷を画素行単位で順次読み出す動作において、その読み出し途中からPD219の露光動作を開始する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
複数の画素を設けた撮像領域部と、前記撮像領域部から出力される画像信号の処理を行う処理回路部とを有する固体撮像素子において、
前記画素は、受光量に応じた信号電荷を生成する光電変換素子と、前記光電変換素子によって生成された信号電荷量を検出するフローティングディフュージョン部と、前記光電変換素子によって生成された信号電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送トランジスタと、前記前記光電変換素子によって生成された信号電荷を排出する排出トランジスタとを有し、
前記光電変換素子は、半導体基板の最表面に形成される第1導電型高濃度不純物層よりなる電荷分離領域と、前記電荷分離領域の下層に形成される第2導電型不純物層よりなる電荷蓄積領域とを有する埋め込みフォトダイオードより形成され、
前記排出トランジスタをONしたときのチャネル電位と、前記転送トランジスタをONしたときのチャネル電位の両方を前記フォトダイオードの完全空乏化電位よりも高くなるように設定した、
ことを特徴とする固体撮像素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 A
, H04N5/335 Q
4M118AA05
, 4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA09
, 4M118DB16
, 4M118DD04
, 4M118DD10
, 4M118DD12
, 4M118EA15
, 4M118FA06
, 4M118FA11
, 4M118FA19
, 4M118FA24
, 4M118FA42
, 5C024BX01
, 5C024CX04
, 5C024CX13
, 5C024CX17
, 5C024CX41
, 5C024CX54
, 5C024GY31
, 5C024HX40
