特許

J-GLOBAL ID：200903034047260695

III-V族窒化物系半導体基板及びその製造方法

発明者： 柴田 真佐知
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (7件)： 平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  岡本 芳明 ,  岩永 勇二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光 ,  野見山 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-071724
公開番号（公開出願番号）：特開2007-246331
出願日： 2006年03月15日
公開日（公表日）： 2007年09月27日
要約：

【課題】エピタキシャル成長層との格子定数がマッチでき、歪みや欠陥の少ないIII-V族窒化物系デバイスを製造できるIII-V族窒化物系半導体基板、及びこの基板を安価に再現性良く製造できる製造方法を提供する。【解決手段】SiドープGaN層11上にSiドープAlGaN層12を形成し、AlGaN層12の表面及びGaN層11の裏面を平坦に研磨して複合自立基板10とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

GaN単結晶からなる第1の層上に、AlxGa1-xN(0 IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/02 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/02 Z ,  H01L33/00 C ,  H01L21/205

Fターム (34件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB06 ,  4G077DB21 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077EF04 ,  4G077EG14 ,  4G077FG12 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD15 ,  5F045AF05 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA11 ,  5F045DP09 ,  5F045DQ06

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-052573   出願人：日亜化学工業株式会社
• 単結晶窒化ガリウム基板およびその成長方法並びにその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-230925   出願人：住友電気工業株式会社
• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-064345   出願人：日本電気株式会社, 日立電線株式会社
• 窒化物半導体積層基板およびそれを用いた窒化物半導体デバイス、窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-431395   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体発光素子用のAlGaN系複合基板、この基板を備えた窒化物半導体発光素子およびこの素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-086707   出願人：シャープ株式会社