特許
J-GLOBAL ID：200903074225329094

窒化物半導体積層基板およびそれを用いた窒化物半導体デバイス、窒化物半導体レーザ素子

発明者：
道上 敦生

道上 敦生 について

, 
松村 拓明

松村 拓明 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-431395
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191306
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】高品質の窒化物半導体デバイスを歩留まり良く、低コストで実現することが可能になり、窒化物半導体デバイス形成用に好適な窒化物半導体積層基板を提供する。【解決手段】窒化物半導体を積層するための窒化物半導体積層基板であって、GaN基板11の上面およびそれに存在し得る凹部の内面に接するように、GaN基板よりも格子定数が小さいAlb Ga1-b N(0b Ga1-b N層を成長させる際にGaN基板の凹部の内面で横方向成長によって凹部が埋め込まれるようになる。この際、Alb Ga1-b N層の膜厚は、凹部の最大深さの2倍程度以上、凹部を完全に埋め込むには最大深さの6 〜7 倍程度以上が望ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
窒化物半導体基板と、該窒化物半導体基板の上面に接して積層され、該窒化物半導体基板よりも格子定数が小さい第1の半導体層を具備することを特徴とする窒化物半導体積層基板。
IPC (3件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323
FI (3件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C ,  H01S5/323 610
Fターム (18件)：
5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F045AA01 ,  5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F073AA11 ,  5F073CA07 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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