特許
J-GLOBAL ID：200903034057941755

LDMOS型半導体装置とその製造方法

発明者：
根来 宝昭

根来 宝昭 について


出願人/特許権者：
株式会社リコー

株式会社リコー について


代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-233843
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060686
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】 LDMOSトランジスタを小型にする。【解決手段】基板22にドレインとなるNウエル拡散層24が形成され、その表面には均一な膜厚のゲート酸化膜28を介してゲート電極30が形成されている。ゲート電極30のソース側の基板にはチャネル領域となるP型拡散層32が形成され、P型拡散層32内の基板にはソース拡散層34が形成されている。ゲート電極30のドレイン側端部から離れた位置の基板にはNウエル拡散層24内にドレインコンタクト拡散層36が形成されている。ゲート電極30の下の基板表面には、ソース拡散層34とドレイン用ウエル26との間に拡散層領域32が存在し、その領域がチャネル領域となる。
請求項（抜粋）：
ゲート酸化膜上のゲート電極のソース側端部をマスクにしてチャネル領域となる拡散層か注入拡散により形成され、更に前記ゲート電極のソース側端部をマスクにしてソース拡散層が注入拡散により形成されているLDMOSトランジスタを含む半導体装置において、前記LDMOSトランジスタの前記ゲート電極下のゲート酸化膜はソース側からドレイン側にかけて膜厚が均一であり、かつ、ドレインコンタクト用の拡散層がゲート電極から離れて形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088
FI (2件)：
H01L 29/78 301 D ,  H01L 27/08 102 C
Fターム (25件)：
5F040DA00 ,  5F040DC01 ,  5F040EB01 ,  5F040EB02 ,  5F040EB11 ,  5F040EC07 ,  5F040EF01 ,  5F040EF02 ,  5F040EK01 ,  5F040FA03 ,  5F040FA05 ,  5F048AA01 ,  5F048AA05 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC03 ,  5F048BC06 ,  5F048BC07 ,  5F048BC19 ,  5F048BC20 ,  5F048BD04 ,  5F048BG01 ,  5F048BG12 ,  5F048DA25
引用特許：
審査官引用 (5件)
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