特許
J-GLOBAL ID:200903034107399035
表示装置用アクティブマトリクス基板およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-236393
公開番号(公開出願番号):特開2005-331902
出願日: 2004年08月16日
公開日(公表日): 2005年12月02日
要約:
【課題】 異なるゲート絶縁膜厚を有する複数種類のTFTを混載し、高性能で高速動作が可能な表示装置用アクティブマトリクス基板を提供する。【解決手段】 表示装置用アクティブマトリクス基板は、表示領域において、行方向に沿う複数の走査線と、列方向に沿う複数の画像データ線と、走査線と画像データ線との各交点および周辺回路領域に形成された島状半導体層と、画素用島状半導体層上の第1の厚さの第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜の上に、第1の配線層で形成された第1のゲート電極と、周辺回路用島状半導体層の一部上の第1の厚さより薄い第2の厚さの第2のゲート絶縁膜と、第2のゲート絶縁膜の上の第2の配線層で形成された第2のゲート電極と、を有し、画素の島状半導体層、第1のゲート絶縁膜、第1のゲート電極が画素トランジスタを構成し、走査線が、第2の配線層で形成された下部走査配線と、第1の配線層で形成され、下部走査配線に接続された上部走査配線とを含む。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
行列状に画素を配列する表示領域と前記表示領域周辺で周辺回路を配置する周辺回路領域とを有する絶縁性基板と、
前記表示領域において、行方向に沿って形成された複数の走査線と、
前記表示領域において、列方向に沿って形成され、前記複数の走査線と共に複数の画素領域を画定する、複数の画像データ線と、
前記表示領域における前記走査線と前記画像データ線との各交点近傍に形成された画素トランジスタ用島状半導体層および前記周辺回路領域に形成された複数の周辺回路トランジスタ用島状半導体層と、
前記画素トランジスタ用島状半導体層の中間部を覆う第1の厚さの第1のゲート絶縁膜と、
前記第1のゲート絶縁膜の上に配置され、第1の配線層で形成された第1のゲート電極と、
前記周辺回路トランジスタ用島状半導体層の少なくとも一部の中間部を覆う、前記第1の厚さより薄い第2の厚さの第2のゲート絶縁膜と、
前記第2のゲート絶縁膜の上に配置され、第2の配線層で形成された第2のゲート電極と、
を有し、前記画素トランジスタ用島状半導体層、前記第1のゲート絶縁膜、前記第1のゲート電極が画素トランジスタを構成し、前記走査線が、前記第2の配線層で形成された下部走査配線と、前記第1の配線層で前記下部走査配線上方に形成され、前記下部走査配線に接続された上部走査配線とを含む、表示装置用アクティブマトリクス基板。
IPC (4件):
G09F9/30
, G02F1/1368
, H01L29/786
, H05B33/14
FI (6件):
G09F9/30 338
, G02F1/1368
, H05B33/14 A
, H01L29/78 612B
, H01L29/78 612C
, H01L29/78 617U
Fターム (64件):
2H092GA59
, 2H092JA25
, 2H092JA35
, 2H092JA46
, 2H092JB43
, 2H092JB69
, 2H092KA04
, 2H092MA27
, 2H092MA30
, 2H092NA21
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007FA00
, 3K007GA00
, 5C094AA23
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094DA09
, 5C094DA15
, 5C094GB10
, 5F110AA01
, 5F110AA03
, 5F110AA04
, 5F110AA11
, 5F110BB02
, 5F110BB04
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110EE04
, 5F110EE28
, 5F110EE37
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF09
, 5F110FF29
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG25
, 5F110GG44
, 5F110HJ01
, 5F110HJ04
, 5F110HJ13
, 5F110HL03
, 5F110HL04
, 5F110HL06
, 5F110HL12
, 5F110HL23
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN23
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN36
, 5F110NN73
, 5F110NN78
, 5F110PP03
, 5F110PP06
, 5F110PP35
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (9件)
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