特許

J-GLOBAL ID：200903034111998237

銅裏面金属構造を備えるGaAs薄型ダイ

発明者： エリオット、アレクサンダー ジェイ. ,  クローダー、ジェフリー デール ,  ミラー、モンテ ジーン
出願人/特許権者： フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-557131
公開番号（公開出願番号）：特表2006-517054
出願日： 2003年09月30日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

薄型GaAs基板(310)に銅裏面金属層(340)を設けてGaAs基板を従来のプラスチックパッケージング技術を使用してパッケージングすることができるようにする。GaAs基板に銅裏面金属層を設けることにより、GaAs基板を2ミル(約50ミクロン)未満に薄くできるので、熱放散の問題を軽減することができ、かつ半導体ダイに軟質はんだ技術を適用することができる。プラスチックパッケージへの半導体ダイのパッケージングを可能にすることにより、コストを大きく減らすことができる。

請求項（抜粋）：

50ミクロン未満の厚さを有するGaAs基板であって、能動表面及び裏面を有するGaAs基板と、 前記裏面上に重なる拡散バリア層と、 銅を含み、かつ前記拡散バリア上に重なる裏面金属層と、 GaAs基板を封止するプラスチック製のダイパッケージとを含む半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41

FI (3件)：

H01L21/52 A ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/44 L

Fターム (9件)：

4M104AA05 ,  4M104BB04 ,  4M104BB09 ,  4M104BB32 ,  4M104FF02 ,  4M104FF18 ,  5F047AA11 ,  5F047BA06 ,  5F047CA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 樹脂封止型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-026711   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-123488   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-230436   出願人：エヌイーシー化合物デバイス株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-044408   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-225536
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 200106, Vol.48, No.6, p1033-1036