特許
J-GLOBAL ID：200903039279821741

半導体装置およびその製造方法

発明者：
河野 純子

河野 純子 について


出願人/特許権者：
エヌイーシー化合物デバイス株式会社

エヌイーシー化合物デバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-230436
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045875
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板にクラック等の破損を生ぜず、表面の半導体のデバイス特性を良好に保つことが可能なバイアホールを有する半導体装置、もしくはヒートシンク層を含む裏電極部材等に於ける信頼性が低下しない半導体装置及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 適宜の半導体素子50が形成されている第1の面51と、前記第1の面51と対向する第2の面52に裏面電極部若しくはヒートシンク層を構成する金属部14又は53が形成されている半導体基板1であって、前記半導体基板1の第2の面52には、前記金属部14又は53内にハンダ材の拡散を防止するバリア層15が更に形成されている半導体装置100。
請求項（抜粋）：
適宜の半導体素子が形成されている第1の面と、前記第1の面と対向する第2の面に裏面電極部若しくはヒートシンク層を構成する金属部が形成されている半導体基板であって、前記半導体基板の第2の面には、前記金属部内にハンダ材の拡散を防止するバリア層が更に形成されている事を特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/812
FI (3件)：
H01L 21/88 T ,  H01L 29/44 B ,  H01L 29/80 U
Fターム (56件)：
4M104AA05 ,  4M104BB04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB15 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB19 ,  4M104BB21 ,  4M104BB23 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB30 ,  4M104CC00 ,  4M104DD37 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF40 ,  4M104GG12 ,  4M104HH05 ,  4M104HH20 ,  5F033GG02 ,  5F033JJ12 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK07 ,  5F033KK17 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK25 ,  5F033KK26 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP26 ,  5F033VV07 ,  5F033WW02 ,  5F033XX17 ,  5F033XX19 ,  5F033XX28 ,  5F102FA00 ,  5F102GB02 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GS09 ,  5F102HC11 ,  5F102HC30
引用特許：
審査官引用 (6件)
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