特許
J-GLOBAL ID：200903034146099111

半導体装置およびその製造方法

発明者：
及川 靖

及川 靖 について

, 
和田 純一

和田 純一 について

, 
堅田 富夫

堅田 富夫 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-078145
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277607
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：
【要約】【課題】配線抵抗の増加、EM耐の低下性およびAlの凝集を招くことなく、アスペクト比の高い接続孔内にAlデュアルダマシン配線を形成すること。【解決手段】接続孔および配線溝(凹部)の内面を覆うNbライナー膜6を形成し、次にNbライナ膜6上に凹部の内部を充填しない厚さの第1Al膜7をスパッタ形成し、次に第1Al膜7の表面に酸素8を吸着させ、次にSi基板1を加熱しながら凹部を含む領域上に第2Al膜をスパッタ形成することによって、凹部の内部を第1および第2Al膜7で充填し、最後に凹部の外部の余剰な第1および第2Al膜7をCMPにより除去するこによって、Alデュアルダマシン配線を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に形成され、凹部を有する層間絶縁膜と、前記凹部の内部に形成されたライナー膜と、前記凹部の内部に前記ライナー膜を介して充填された配線層と、前記配線層内部に含まれる、前記配線層の構成導電膜の凝集を抑制する凝集抑制材料とを具備してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/768 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205
FI (8件)：
H01L 21/90 A ,  C23C 14/14 G ,  C23C 14/58 A ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/302 G ,  H01L 21/302 L ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 K
Fターム (119件)：
4K029AA06 ,  4K029AA29 ,  4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA08 ,  4K029BA17 ,  4K029BA21 ,  4K029BA23 ,  4K029BA58 ,  4K029BA60 ,  4K029BB02 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029EA03 ,  4K029EA05 ,  4K029GA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB04 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104BB29 ,  4M104BB30 ,  4M104BB37 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD39 ,  4M104DD40 ,  4M104DD41 ,  4M104DD43 ,  4M104DD51 ,  4M104DD66 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD88 ,  4M104EE15 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104FF27 ,  4M104GG13 ,  4M104HH01 ,  4M104HH13 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  5F004AA11 ,  5F004AA14 ,  5F004BA04 ,  5F004BA20 ,  5F004BD05 ,  5F004DB03 ,  5F004DB12 ,  5F004EA24 ,  5F004EA26 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F004FA01 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH12 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ09 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK08 ,  5F033KK19 ,  5F033LL07 ,  5F033LL08 ,  5F033MM02 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN01 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP09 ,  5F033PP15 ,  5F033PP18 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ62 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ85 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ93 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX02 ,  5F033XX04 ,  5F033XX05 ,  5F033XX09 ,  5F033XX33
引用特許：
審査官引用 (6件)
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