特許
J-GLOBAL ID：200903034155948784

化学気相成長装置

発明者：
小林 和雄

小林 和雄 について

, 
岡本 佳彦

岡本 佳彦 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-276108
公開番号（公開出願番号）：特開2005-039123
出願日： 2003年07月17日
公開日（公表日）： 2005年02月10日
要約：
【課題】 半導体基板上に形成される膜の均一性をさらに向上する化学気相成長装置を提供する。【解決手段】 化学気相成長装置のチャンバには2つの反応室3が設けられている。反応室3のそれぞれには、材料ガスと酸化剤を吹出すためのシャワーヘッド5と、半導体基板を載置するためのステージ部7とが互いに対向するように配設されている。シャワーヘッド5の背面側には円周方向にリフトベローズ4が設けられている。反応室3の上方にはそのリフトベローズ4を駆動するための駆動部6が設けられている。駆動部6によりリフトベローズ4が伸縮することによって、シャワーヘッド5とステージ7との距離が変えられる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
反応室を有するチャンバと、 前記反応室内に配設され、所定の材料ガスを吹出すためのガス吹出し口と、 前記ガス吹出し口と対向するように前記反応室内に配設され、半導体基板が載置されるステージ部と、 前記ガス吹出し口へ所定流量の材料ガスを供給するためのガス供給制御部と、 前記ガス吹出し口および前記ステージ部の少なくともいずれかに設けられ、前記ガス吹出し口と前記ステージ部との間隔を変更するためのチルト機構と を備えた、化学気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L21/31 ,  C23C16/44
FI (2件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/44 B
Fターム (20件)：
4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030EA06 ,  4K030GA01 ,  4K030JA03 ,  4K030KA41 ,  4K030KA45 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB32 ,  5F045AC09 ,  5F045AD08 ,  5F045AE23 ,  5F045AE29 ,  5F045BB02 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EF05 ,  5F045EF10 ,  5F045EM10
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
  • 基板処理装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-299405   出願人：株式会社日立国際電気
  • 基体上への材料付着システム
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-004448   出願人：ヒューズ・エアクラフト・カンパニー
  • プラズマ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-286329   出願人：東京エレクトロン山梨株式会社
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