全反射減衰を利用したセンサーおよび測定チップ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：柳田征史 , 佐久間剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-186632
公開番号（公開出願番号）：特開2004-028832
出願日： 2002年06月26日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：

【課題】センシング物質と試料中の特定物質との結合状態を測定する全反射減衰を利用したセンサーにおいて、結合した結合特定物質の回収量を増加させる。【解決手段】光ビーム20を、試料液15が供給された測定チップ10の誘電体ブロック11と薄膜層12との界面12aに対して種々の入射角が得られるように入射させ、界面12aで全反射した光ビーム20を光検出器23により検出して、ウェル部16内のセンシング物質17と試料液15中の特定物質との結合状態を測定する。ウェル部16の底面の薄膜層12に加え、側面にも薄膜層14を設け、各薄膜層上にセンシング物質17を固定する。底面の薄膜層12のみが設けられている従来のセンサーに比べて、センシング物質17が固定されている面積が大きく、多くの特定物質がセンシング物質17と結合する。このため結合状態を測定後、脱離処理を施し結合特定物質を回収する際の回収量が増加する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光ビームを発生させる光源と、前記光ビームに対して透明な誘電体ブロックと、該誘電体ブロックの一面に形成される第1の薄膜層と、該第1の薄膜層の表面上に配されて、試料中の特定物質と結合するセンシング物質と、前記光ビームを前記誘電体ブロックに対して、該誘電体ブロックと前記第1の薄膜層との界面で全反射条件が得られる角度で入射させる光学系と、前記界面で全反射した光ビームの強度を検出する光検出手段と、該光検出手段の検出結果に基づいて全反射減衰の状態を測定する測定手段とを備えてなる全反射減衰を利用したセンサーにおいて、前記誘電体ブロックの一面と異なる面に形成され、前記第1の薄膜層と略同一の化学特性を有する第2の薄膜層と、該第2の薄膜層の表面上に配される前記センシング物質とをさらに備えたことを特徴とする全反射減衰を利用したセンサー。

IPC (4件)：

G01N21/27 , G01N1/00 , G01N21/05 , G01N21/11

FI (4件)：

G01N21/27 C , G01N1/00 101G , G01N21/05 , G01N21/11

Fターム (33件)：

2G052AD46 , 2G052CA04 , 2G052CA12 , 2G052GA12 , 2G057AA02 , 2G057AB04 , 2G057AB07 , 2G057AC01 , 2G057BA05 , 2G057BB06 , 2G057BC07 , 2G057EA06 , 2G057GA06 , 2G059AA01 , 2G059BB04 , 2G059BB12 , 2G059CC16 , 2G059DD12 , 2G059EE02 , 2G059EE05 , 2G059EE09 , 2G059FF04 , 2G059FF08 , 2G059FF09 , 2G059GG01 , 2G059GG04 , 2G059JJ11 , 2G059JJ13 , 2G059JJ19 , 2G059JJ20 , 2G059JJ22 , 2G059KK04 , 2G059PP04

引用特許：

審査官引用 (12件)

全反射減衰を利用した測定方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-049681 出願人：富士写真フイルム株式会社
センサ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-098304 出願人：東陶機器株式会社
生化学計測装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-109082 出願人：松下電器産業株式会社

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