特許
J-GLOBAL ID：200903034197498908
半導体受発光装置及びその組立方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-154139
公開番号（公開出願番号）：特開平11-346030
出願日： 1998年06月03日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】アクセス系光通信に使用する平面実装モジュールを実現するには、はんだ接合層の厚さ制御と確実な接合ができる構造を提供するところにある。【解決手段】(1)はんだ厚さを制御し易くするため、すべてをAu-Snはんだにしないで、他の金属膜で厚さを確保する。この金属膜は、はんだ接合時溶解することはないので厚さを確保し易い。(2)はんだ面積を分割した構造とすることで応力低減を図る。(3)蒸着膜をアニールすることにより、膜強度を高くする。(4)はんだ厚を制御するため、はんだ接合部とは別の部分にはんだ厚調整用ニッケルの膜を設けることで変形、収縮を抑える
請求項（抜粋）：
基板上に形成された光導波路と、光集積回路と、前記基板の前記光導波路端あるいは光集積回路端に光結合するように設けられた半導体受光素子と半導体発光素子と、前記基板のもう一方の光導波路あるいは光集積回路端に光結合するように設けられた光ファイバからなる半導体受発光装置において、前記基板上に予め前記光導波路端を出すようにピットを形成し、前記ピット底面及び半導体受光素子の電極部とは別に3つ以上の接合部を設け、前記接合部にははんだ付用膜である電極膜を設け、半導体受光素子と前記ピット底面とをはんだ接合したことを特徴とする半導体受発光装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 31/02
, H01L 31/12
H01S 3/18
, H01L 31/12 Z
, H01L 31/02 B
