特許

J-GLOBAL ID：200903034230909072

三次元構造体およびその製造方法、並びに電子機器

発明者： 佐々木 実 ,  宋 鐘亨 ,  羽根 一博 ,  石川 博一 ,  横溝 寛治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-008727
公開番号（公開出願番号）：特開2004-219839
出願日： 2003年01月16日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：

【課題】構成が簡単で容易に製造でき、機械的強度に優れると共に電気的信頼性の高い櫛歯アクチュエータとして利用可能な三次元構造体を提供する。【構成】基板10の平坦部に、ミラー20およびこれに連結された第1の電極31が形成されている。基板10の一部は、完全には切り離されていない折曲げ部11にそって折り曲げられて傾斜部12A,12Bとなっており、この傾斜部12A,12Bには、第2の電極32が形成されている。第2の電極32は、第1の電極31との間に基板10の平坦部に対して垂直方向の間隔33を有する。基板10としては、保持基板の表面に酸化膜および半導体薄膜が形成されたSOI基板が好ましい。折曲げ部11は、異方性エッチングにより保持基板にV字状の溝を形成して酸化膜および半導体膜のうち少なくとも一方を残存させた構成を有することが好ましい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

平坦部を有する基板を用いた三次元構造体であって、 前記基板の平坦部に形成された変位可能な本体部と、 前記基板の平坦部に前記本体部に連結して形成された第1の電極と、 前記基板に形成された完全には切り離されていない直線状の折曲げ部と、 前記折曲げ部にそって前記基板の一部を折曲げることにより形成された傾斜部と、 前記傾斜部に前記第1の電極との間に所定の間隔を有するように形成され、前記第1の電極と共に駆動部を構成する第2の電極と を備えたことを特徴とする三次元構造体。

IPC (3件)：

G02B26/08 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

FI (3件)：

G02B26/08 E ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

Fターム (5件)：

2H041AA12 ,  2H041AB14 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ01 ,  2H041AZ08

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-067672   出願人：株式会社エイ・ティ・アール環境適応通信研究所
• 微細加工方法および微細加工構造物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050582   出願人：セイコー電子工業株式会社
• SOI材料上のマイクロミラー及びMEMSアセンブリ用の単結晶シリコンリボンヒンジ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-356890   出願人：ゼロックス・コーポレーション

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "A scanning micromirror with angular comb drive actuation"