特許
J-GLOBAL ID：200903099482450166

半導体記憶装置

発明者：
長野 能久

長野 能久 について

, 
林 慎一郎

林 慎一郎 について

, 
上本 康裕

上本 康裕 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-176877
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012804
出願日： 1998年06月24日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 容量膜の加工を不要にし、絶縁耐圧の高いコンデンサを有する半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に形成された複数の下部電極9と、複数の下部電極9上にわたって連続して形成され、絶縁性金属酸化物からなる容量膜10と、下部電極9に対向する容量膜10上の部分にそれぞれ形成された上部電極11とを有し、一つの下部電極9が、一つのトランジスタのソース領域2にそれぞれ接続されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された複数の下部電極と、前記複数の下部電極上にわたって連続して形成され、絶縁性金属酸化物で構成される容量膜と、前記下部電極に対向する前記容量膜上の部分にそれぞれ形成された上部電極とを有し、一つの前記下部電極が、一つのトランジスタのソース領域にそれぞれ接続されていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (3件)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 621 Z
Fターム (15件)：
5F038AC02 ,  5F038AC11 ,  5F038AC15 ,  5F038AV06 ,  5F038BH03 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ01 ,  5F083AD22 ,  5F083AD48 ,  5F083JA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA18
引用特許：
審査官引用 (6件)
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