特許

J-GLOBAL ID：200903034290508590

半導体の形成方法および半導体素子

発明者： 畑 雅幸 ,  野村 康彦 ,  下司 辰郎 ,  松下 重治 ,  本間 運也 ,  吉年 慶一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-030772
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234502
出願日： 2002年02月07日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：

【要約】【課題】基板と半導体層との間に発生する応力を緩和しながら、格子定数差に起因する格子欠陥が低減された半導体層を形成することが可能な窒化物系半導体の形成方法を提供する。【解決手段】この半導体の形成方法は、Si基板1上の少なくとも一部に、立方晶のペロブスカイト構造、立方晶の鉄マンガン鉱構造、立方晶の酸化物からなるCaF2構造、および、六方晶の鉄マンガン鉱構造のうちの1つの構造を有する材料からなる多結晶または単結晶の材料を含む第1バッファ層2を形成する工程と、第1バッファ層2上に、窒化物系半導体各層(4〜9)を形成する工程とを備えている。

請求項（抜粋）：

基板上の少なくとも一部に、立方晶のペロブスカイト構造、立方晶の鉄マンガン鉱構造、立方晶の酸化物からなるCaF2構造、および、六方晶の鉄マンガン鉱構造のうちの1つの構造を有する材料からなる多結晶または単結晶の材料を含む第1バッファ層を形成する工程と、前記第1バッファ層上に、窒化物系半導体層または前記基板よりも熱膨張係数が大きい結晶構造が六方晶である半導体層を形成する工程とを備えた、半導体の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610

FI (4件)：

H01L 33/00 C ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343 610

Fターム (38件)：

4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BA42 ,  4K030BA46 ,  4K030BB01 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030HA02 ,  4K030LA18 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC00 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC19 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB04 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-319791   出願人：富士電機株式会社
• 多層構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-312318   出願人：イーストマンコダックカンパニー
• 電子デバイス用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-167686   出願人：ティーディーケイ株式会社
• エピタキシャルウェハおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-324870   出願人：昭和電工株式会社