特許

J-GLOBAL ID：200903034307622391

メッキされた導電リード上の成長形成を減少させるための方法および装置

発明者： ジョン ウィリアム オーゼンバッハ ,  ブリアン デール ポッテイガー ,  リチャード ローレンス ショック ,  ブリアン トーマス ヴァッカロ
出願人/特許権者： アギア システムズ インコーポレーテッド
代理人 (9件)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  産形 和央 ,  岡部 讓 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  朝日 伸光 ,  三山 勝巳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-004605
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203781
出願日： 2005年01月12日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】メッキされた導電リード上の成長形成を減少させるための方法および装置を提供すること。【解決手段】1つまたは複数のメッキされた導電リードの、所定の温度でのアニール処理を含む工程である。1つまたは複数のメッキされた導電リードは、1つまたは複数の層でメッキされ、各層は材料を含む。所定の温度は、材料のうちの1つの融点よりも高い温度または融点とほぼ同じ温度である。アニール処理は、1つまたは複数の導電リード上の、ウィスカーなどの成長形成を減少させる。メッキされた導電リードを有するリード・フレームおよび他のデバイスは、当該工程に供され、その結果としてのメッキされた導電リードは、当該工程に供されなかった、メッキされた導電リードよりも少ない成長形成を呈する。メッキされた導電リードは、アニールの前または後にトリム・アンド・フォームされる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

1つまたは複数のメッキされた導電リード上の成長形成を減少させるための方法であって、前記1つまたは複数のメッキされた導電リードを所定の温度でアニールする工程を含み、前記1つまたは複数のメッキされた導電リードは1つまたは複数の層でメッキされ、各層は材料を含み、前記所定の温度は前記材料の中の1つの材料の融点より高いまたはほぼ同じである方法。

IPC (4件)：

H01L23/50 ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12

FI (4件)：

H01L23/50 D ,  C25D5/12 ,  C25D5/50 ,  C25D7/12

Fターム (11件)：

4K024AA03 ,  4K024AA07 ,  4K024AB02 ,  4K024BA09 ,  4K024BB13 ,  4K024DB01 ,  4K024DB02 ,  4K024GA16 ,  5F067DC00 ,  5F067DC16 ,  5F067EA04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 米国特許仮出願第60/535,839号
  

審査官引用 (5件)

• リ-ドフレ-ム材のアウタ-リ-ド部、それを用いた半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-346757   出願人：古河電気工業株式会社, 協和電線株式会社
• ストライプめっき条及びストライプめっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-149665   出願人：冨士電子工業株式会社
• 電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-139979   出願人：松下電器産業株式会社
• 電解メッキ皮膜の熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-397927   出願人：株式会社フジクラ
• 電気・電子部品用材料とその製造方法、およびその材料を用いた電気・電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-155058   出願人：古河電気工業株式会社