特許
J-GLOBAL ID：200903034308884330

化合物半導体発光素子用エピタキシャル基板及びその製造方法並びに発光素子

発明者：
山中 貞則

山中 貞則 について

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土田 良彦

土田 良彦 について

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小野 善伸

小野 善伸 について

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家近 泰

家近 泰 について


出願人/特許権者：
住友化学工業株式会社

住友化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 昌俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-158141
公開番号（公開出願番号）：特開2004-096077
出願日： 2003年06月03日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：
【課題】発光層の保護機能を損なうことなしに発光効率を向上させること。【解決手段】発光層7に接して第1乃至第3の層から成る3層構造のp型層を設ける。第1の層であるn型AlGaN層9が保護層として働き、第3の層であるGaN:Mg層11がコンタクト層として働くと共に、第2の層であるAlGaN:Mg層10がこれらの中間に設けられて中間層となり、この中間層を設けたことにより、n型AlGaN層9の層厚を薄くしてもInGaN層8をその上側の層の成長時の熱から充分に保護することができ、これによりGaN:Mg層11を発光層7に近づけて発光層7へのホールの注入効率を高め、発光効率を向上させることができるようにした。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
pn接合を有するダブルへテロ構造の発光層を備えた化合物半導体発光素子用エピタキシャル基板において、 前記発光層に接して設けられるp型層側の層構造が、前記発光層に接する層から順に、Inx Aly Gaz N(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表されるn型の第1の層と、Inu Alv Gaw N(u+v+w=1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1)で表されるp型の第2の層と、Inp Alq Gar N(p+q+r=1、0≦p≦1、0≦q≦1、0≦r≦1)で表されるp型の第3の層とを含み、かつこれら3つの層が互いに接して積層されていることを特徴とする化合物半導体発光素子用エピタキシャル基板。
IPC (1件)：
H01L33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65
引用特許：
審査官引用 (4件)
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