半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-026525
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223770
出願日： 1997年02月10日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】製造工程が増えず、安価な製造コストで、サリサイド構造と自己整合的コンタクト構造とを混在させる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】ゲート電極13の側面には、絶縁性のスペーサ99が形成され、ゲート電極13の上面及びソース・ドレイン拡散層14の表面部分に金属シリサイド層16が形成されている。2個のゲート電極13の間は狭く、シリコン窒化膜の堆積工程では、コンタクトされる拡散層14上は他の領域より薄く堆積される。よって、コンタクトされる拡散層14以外のゲート電極13の上部、側面及びソース・ドレイン拡散層14の表面部分は、コンタクトされる拡散層14上のシリコン窒化膜をエッチング除去してもなお、厚くシリコン窒化膜317 が残留している。コンタクトホール20は、自己整合的なコンタクトホールとなる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板と、前記基板上で互いに隣り合う電極と、前記電極間の下層表面のコンタクト領域と、前記電極の上面及びコンタクト領域に形成されたサリサイド構造と、前記コンタクト領域及び他のコンタクトに関係する部分以外の領域に被覆されたエッチング保護膜と、前記電極を含み基板上を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜において少なくとも前記コンタクト領域に対応して形成されたコンタクトホールと、前記コンタクトホールを介して前記コンタクト領域と電気的に接続される導電部材とを具備したことを特徴とする半導体装置。

IPC (12件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/28 301 , H01L 21/768 , H01L 21/8244 , H01L 27/11 , H01L 27/115 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (7件)：

H01L 27/08 102 D , H01L 21/28 301 T , H01L 21/90 C , H01L 27/10 381 , H01L 27/10 434 , H01L 27/10 681 B , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体集積回路装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-303542 出願人：株式会社日立製作所
多層配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-007072 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-225340 出願人：株式会社東芝

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