特許
J-GLOBAL ID：200903034335980759

半導体記憶装置及び製造方法並びに書き込み方法

発明者：
佐藤 康夫

佐藤 康夫 について


出願人/特許権者：
新日本製鐵株式会社

新日本製鐵株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-128075
公開番号（公開出願番号）：特開平10-308462
出願日： 1997年05月01日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】 同一のメモリセルに、不揮発性半導体メモリとしてのデータとマスクROMとしてのデータを同時に記憶することを可能とし、チップサイズが縮小化されて更なる高集積化を実現する。【解決手段】 通常のフラッシュメモリである素子1と、素子1の構成に加えてチャネル領域に低濃度の不純物がイオン注入されてなる拡散層18を有する素子2との2種の半導体記憶素子を配設して、半導体記憶装置が構成される。即ち、2種の素子1,2がマスクROMとしての機能とフラッシュメモリとしての機能とを共に有しており、2ビット(4値)の多値型の半導体記憶装置が実現する。
請求項（抜粋）：
ゲート、ソース及びドレインを有して前記ソースと前記ドレインとの間にチャネル領域が形成されるとともに、電荷蓄積層を有する半導体記憶素子を備えた半導体記憶装置において、前記チャネル領域に各々濃度の異なる不純物が導入されてなる少なくとも2種の前記半導体記憶素子を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (5件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  H01L 27/115
FI (3件)：
H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 641 ,  H01L 27/10 434
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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