特許
J-GLOBAL ID：200903034347708663

III族窒化物系化合物半導体発光素子

発明者：
沢崎 勝久

沢崎 勝久 について

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浅井 誠

浅井 誠 について

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兼山 直樹

兼山 直樹 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090719
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286448
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 簡単な製造工程の変更だけで、高キャリア濃度n<SP>+ </SP>層側へのキャリアの閉じ込め効果を十分に確保する。【解決手段】 サファイア基板11の上には窒化アルミニウム(AlN) から成る膜厚約25nmのバッファ層12が設けられ、その上にシリコン(Si)ドープのGaN から成る膜厚約4.0 μmの高キャリア濃度n<SP>+ </SP>層13が形成されている。この高キャリア濃度n<SP>+ </SP>層13の上には、ノンドープのIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-X </SB>N (0<x<1) から成る膜厚約3000Åの中間層14が形成されている。次に、膜厚約250ÅのGaN から成るn型クラッド層15が積層され、更に、n型クラッド層15の上には、膜厚約30ÅのGa<SB>0.8</SB>In<SB>0.2</SB>N から成る井戸層161が計3層、膜厚約70ÅのGaN から成るバリア層162が計2層交互に積層され、これにより、2周期の多重量子井戸(MQW)構造の発光層16が形成されている。
請求項（抜粋）：
井戸層とバリア層とが交互に積層された、多重量子井戸構造の発光層を備えた III族窒化物系化合物半導体発光素子において、前記発光層に接して設けられるn型クラッド層を前記バリア層の膜厚よりも厚くしたことを特徴とする III族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/343
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 677
Fターム (23件)：
5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073EA07
引用特許：
審査官引用 (4件)
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