特許
J-GLOBAL ID：200903030563839521
窒化ガリウム系半導体発光素子、及び半導体レーザ光源装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-052596
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256657
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系半導体発光素子において、良好なレーザ発振特性を有する半導体レーザ素子、および、高い光出力が得られる発光ダイオード素子を提供する。【解決手段】 窒化物半導体からなるクラッド層4、9及び/又はガイド層5、28に挟まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物半導体の量子井戸構造活性層を形成する。量子井戸構造活性層は2層の量子井戸層14、14とこれらに挟まれた1層の障壁層15の合計3層から形成される。
請求項（抜粋）：
窒化物半導体からなるクラッド層及び/又はガイド層に挟まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物半導体よりなる量子井戸構造活性層を備え、前記量子井戸構造活性層は2層の量子井戸層とこれらに挟まれた1層の障壁層とから形成されることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
引用文献：
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