特許

J-GLOBAL ID：200903034362213492

半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法

発明者： 早川 努
出願人/特許権者： エルピーダメモリ株式会社
代理人 (1件)： 山崎 拓哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-225768
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053310
出願日： 2006年08月22日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】相変化材料の相変化に用いるジュール熱をさらに効率よく相変化材料に加えることができる半導体記憶装置を提供し、当該半導体記憶装置を容易に製造することができる製造方法を提供する。【解決手段】上部電極66は、積層方向に直交する平面に沿って相変化層63を外側から囲んでいる。上部電極66は、第1の領域84外の残りの第2の領域85内に配設されているため、上部電極66とヒータ電極43とは積層方向において重ならない。上部電極66は、相変化層63から積層方向に直交する平面に沿って延在している第3の領域86内に配設されていることが好ましい。また、上部電極66は、相変化層63から積層方向に延在する第4の領域87内には存在せず、第4の領域87外の第5の領域88内に配設されていることが好ましい。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

相変化材料により形成された相変化層と、 前記相変化層に接続されたヒータ電極と、 前記相変化層に接続された上部電極と、を備える半導体記憶装置であって、 前記上部電極は、前記上部電極を前記所定の積層方向に貫く貫通部を有し、 前記相変化層は、前記貫通部の内側から前記上部電極に接続され、 前記ヒータ電極は、前記所定の積層方向において前記貫通部と重なる位置に配設されている、 半導体記憶装置。

IPC (2件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00

FI (2件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 A

Fターム (22件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083KA11 ,  5F083KA16 ,  5F083LA01 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA18 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 相変化メモリ装置及びそれの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-047644   出願人：三星電子株式会社
• 改善された接合を有する電気的にプログラム可能なメモリ素子
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-607287   出願人：オヴォニクスインコーポレイテッド

審査官引用 (2件)

• AlN熱放出層及びTiN下部電極が適用された相変化メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-363771   出願人：コリアインスティテュートオブサイエンスアンドテクノロジー
• 相変化記憶素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-357269   出願人：株式会社ハイニックスセミコンダクター