特許
J-GLOBAL ID:200903034367029320
直立型超格子、デバイス及び直立型超格子の製造方法。
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
野口 繁雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-265713
公開番号(公開出願番号):特開2004-103939
出願日: 2002年09月11日
公開日(公表日): 2004年04月02日
要約:
【課題】表面の面内方向に厚さが微細に制御された超格子を得る。【解決手段】▲1▼絶縁材、例えばエポキシ樹脂により、平坦な表面を持つ絶縁基板20を作る。▲2▼その絶縁基板20上に、例えば、トータルの膜厚が1μmになるように、例えば蒸着法によりH2Pc層22とMe-PTC層24の積層体を堆積する。▲3▼積層体の堆積後、絶縁材26によりその積層体を包埋、すなわち積層体全体を絶縁材中に埋め込む。絶縁材26としては基板20と同じ材料を用いるのが好ましい。▲4▼最後に、ナノメータの精度で位置制御が可能な、ウルトラミクロトームを使って、薄膜面に対して垂直にスライスして、切片28を得る。【選択図】 図6
請求項(抜粋):
複数層薄膜からなる超格子構造をもち、その超格子の断面のうち互いに反対方向を向く一対の面が表面となっていることを特徴とする直立型超格子。
IPC (3件):
H01L31/107
, H01L31/08
, H01L51/10
FI (2件):
H01L31/10 B
, H01L31/08 T
Fターム (9件):
5F049MA09
, 5F049MB08
, 5F049PA20
, 5F049QA16
, 5F049SE05
, 5F088AA05
, 5F088AB11
, 5F088AB13
, 5F088FA05
引用特許:
審査官引用 (8件)
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特開平4-034983
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ヘテロ接合素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-099252
出願人:シャープ株式会社
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偏光スイッチングレーザ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-020010
出願人:日本電信電話株式会社
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特開平3-160765
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特開昭59-032166
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有機共蒸着膜の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-265225
出願人:科学技術振興事業団
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電 極
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-367398
出願人:株式会社豊田中央研究所
-
埋設接触子を有する薄膜多層太陽電池
公報種別:公表公報
出願番号:特願平7-525303
出願人:パシフィックソーラーピーティーワイリミテッド
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