特許
J-GLOBAL ID：200903034392355470
ボロンドープされたシリコンウエハの熱処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-008217
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217204
出願日： 2001年01月16日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：
【要約】【課題】 ボロンがドープされたシリコンウエハに対しても、ウエハ表層におけるウエハ深さ方向のボロン濃度の十分な均一化を図ることができる方法を提供する。【解決手段】 水素アニール中に適度にジボランを添加することによって、ボロンドープされたシリコンウエハのウエハ表層におけるウエハ深さ方向のボロン濃度の均一化が図れる。また、添加されるジボランの濃度を調整することによって、ウエハ表層におけるボロン濃度の分布の調整を行なうことができ、ウエハの深さ方向に向かって濃度変化がフラットになるようにしたり、或いは、徐々に濃度が低下或いは上昇させたりするというような調整が自由にできるようになる。
請求項（抜粋）：
ボロンドープされたシリコンウエハを還元雰囲気下で熱処理をするにあたって、この系内に、前記シリコンウエハの表層から失われたボロンを補填するように適宜ボロンドーピング用ガスを混合することを特徴とする熱処理方法。
IPC (2件)：
H01L 21/324
, H01L 21/322
H01L 21/324 W
, H01L 21/322 Y
, H01L 21/322 R
