特許
J-GLOBAL ID:200903034397794250

発振素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 加藤 一男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-229083
公開番号(公開出願番号):特開2008-053519
出願日: 2006年08月25日
公開日(公表日): 2008年03月06日
要約:
【課題】活性層の注入電流密度を向上させ発振の出力パワーを向上させることができる共鳴トンネルダイード型の発振素子を提供することである。【解決手段】発振素子は、電磁波の利得を有する利得媒質4と、電磁波を利得媒質4へ閉じ込めるための共振器5、16と、利得媒質4へキャリアを注入する手段1、6を備える。利得媒質4は、2つ以上の量子井戸層9、11と各量子井戸層を隔てる複数の障壁層8、10、12から構成されて、2つ以上の量子井戸層9、11のサブバンド間でキャリアの遷移がフォトンアシストトンネルを経て生起して利得が発生する共鳴トンネルダイオードに基づく構成である。各量子井戸層は、結晶を構成する基板1の格子定数とは異なる格子定数を持ち且つ臨界膜厚よりも薄い膜厚で歪を有する。複数の障壁層は、量子井戸層とは反対方向の歪を有し基板1とは異なる格子定数を持つ層を少なくとも1つ含む。【選択図】図1
請求項(抜粋):
電磁波の利得を有する利得媒質と、前記電磁波を前記利得媒質へ閉じ込めるための共振器と、前記利得媒質へキャリアを注入する手段とを備えた発振素子であって、 前記利得媒質は、2つ以上の量子井戸層と各量子井戸層を隔てる複数の障壁層から構成されて、前記2つ以上の量子井戸層のサブバンド間でキャリアの遷移がフォトンアシストトンネルを経て生起して利得が発生する共鳴トンネルダイオードに基づく構成であり、 前記量子井戸層はいずれも、結晶を構成する基板の格子定数とは異なる格子定数を持ち且つ臨界膜厚よりも薄い膜厚で歪を有するものから成り、 更に、前記複数の障壁層は、前記量子井戸層とは反対方向の歪を有し前記基板とは異なる格子定数を持つ層を少なくとも1つ含むことを特徴とする発振素子。
IPC (4件):
H01L 29/88 ,  H01S 1/02 ,  H01L 29/66 ,  H01L 29/06
FI (4件):
H01L29/88 F ,  H01S1/02 ,  H01L29/66 T ,  H01L29/06 601W
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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