特許
J-GLOBAL ID：200903034431180828

半導体発光装置およびその製造方法ならびに光学式情報記録再生装置

発明者：
大野 智輝

大野 智輝 について

, 
伊藤 茂稔

伊藤 茂稔 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-121824
公開番号（公開出願番号）：特開2002-319733
出願日： 2001年04月19日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 電流注入領域以外の活性層のキャリア寿命を短くする。【解決手段】 n型GaN基板11上に、複数の窒化物半導体層が積層されて、ストライプ状導波路が形成されている。n型GaN基板11表面には、そのストライプ状導波路に対向する領域に、凹領域のグルーブが形成される。凹領域のグルーブの中央部は、中央部以外より欠陥密度の高い部分となっている。凹領域のグルーブは、一対の凸領域のランドが形成されることによって、一対の凸領域のランド間に配置されている。そして、凹領域のグルーブ近傍に一方の凸領域のランドが形成されている。
請求項（抜粋）：
基板上に複数の窒化物半導体層が積層されて、ストライプ状導波路が形成された半導体発光装置であって、該基板表面には、該ストライプ状導波路に対向する領域に凹領域が形成されるように、一対の凸領域が形成されており、該凹領域近傍に一方の凸領域が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (4件)：
H01S 5/065 610 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/323 610
FI (4件)：
H01S 5/065 610 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/323 610
Fターム (32件)：
5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD11 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF11 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA67 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA84 ,  5F073BA04 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073DA32 ,  5F073DA34 ,  5F073EA16 ,  5F073EA24 ,  5F073EA26 ,  5F073EA27
引用特許：
審査官引用 (5件)
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