特許
J-GLOBAL ID：200903024122612130

半導体レーザ素子および光ピックアップ装置

発明者：
奥村 敏之

奥村 敏之 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-026587
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223789
出願日： 1999年02月03日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：
【要約】【課題】 基板から漏れる光が出射光に影響することを抑制可能な半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 半導体レーザ素子101は、サファイア基板1上に、GaNバッファ層2,n型層3,活性層4,p型層5,p側電極6およびn側電極7を備えており、n型層3内に、光吸収性を有する光非透過膜12が設けられている。サファイア基板1から上部に向けて光が漏れた場合でも、この光は光非透過膜12により吸収されるために活性層4に到達せず、活性層4から出射されるレーザ光に影響が及ばない。
請求項（抜粋）：
基板上に、活性層と、活性層に電子を供給するためのn型層と、活性層に正孔を供給するためのp型層とが設けられた半導体レーザ素子において、基板と活性層との間に、基板から漏れた光が活性層における活性領域に侵入することを抑制する第1の光制御層が設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (3件)：
H01S 5/323 ,  G11B 7/125 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
H01S 3/18 673 ,  G11B 7/125 A ,  H01L 33/00 C
Fターム (29件)：
5D119AA28 ,  5D119BA01 ,  5D119DA01 ,  5D119DA05 ,  5D119EA02 ,  5D119EC41 ,  5D119FA05 ,  5D119FA17 ,  5D119FA18 ,  5D119HA38 ,  5D119JA22 ,  5F041AA03 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AB25 ,  5F073BA06 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073EA01 ,  5F073EA23 ,  5F073EA27
引用特許：
審査官引用 (8件)
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