特許

J-GLOBAL ID：200903034445558483

炭化珪素単結晶の製造方法

発明者： 矢代 将斉 ,  亀井 一人 ,  楠 一彦
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-257041
公開番号（公開出願番号）：特開2006-069861
出願日： 2004年09月03日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】Si及びC、又はSi、C及びM(M:Ti,Fe,Mn及びCoのいずれか1種以上)からなる、SiCが溶解している融液中に、炭化珪素の種結晶基板を浸漬し、少なくとも種結晶基板周辺における溶液過冷却により炭化珪素を過飽和状態とすることによって種結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法において、気泡を含まない良質なバルク炭化珪素単結晶を、2000°C以下の温度で実用的な成長速度で安定して製造する。【解決手段】単結晶成長時における雰囲気ガスとして、単結晶成長温度での粘度ηが750μP (マイクロポアズ) 以下の非酸化性ガス、例えば、ヘリウムまたはヘリウムを主成分とする混合ガス、を使用する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

Si及びC、又はSi、C及びM(M:Ti,Fe,Mn及びCoのいずれか1種以上)を含む、SiCが溶解した融液中に炭化珪素の種結晶基板を浸漬し、少なくとも種結晶基板周辺における溶液過冷却により種結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる方法であって、単結晶成長時の雰囲気ガスが、単結晶成長温度での粘度ηが η≦750μP (μP:マイクロポアズ) を満たす非酸化性ガスであることを特徴とする、炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/04

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/04

Fターム (12件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077HA01 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA34 ,  4G077QA38

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072033   出願人：株式会社日立製作所
• 炭化珪素単結晶とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-105567   出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (2件)

• 炭化珪素(SiC)単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-164061   出願人：住友金属工業株式会社
• 炭化ケイ素のエピタキシー成長における、およびその結果形成される炭化ケイ素構造におけるマイクロパイプの形成を減少させる方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-518933   出願人：クリー・リサーチ,インコーポレイテッド