イオンプレーティングによる成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：後藤洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-246336
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057148
出願日： 2000年08月15日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：

【要約】【課題】高速で平滑な絶縁膜、特にSiO2 薄膜を成膜できる成膜方法を提供すること。【解決手段】プラズマビーム発生器13と、真空容器11内に配置されプラズマビームの入射面を持つ主ハース30とを含み、主ハースの近傍に該主ハースの中心軸に対して同心的に配置された環状永久磁石により定常磁界を形成し、主ハースの中心軸に対して同心的に配置された電磁コイルにより調整磁界を定常磁界に重畳して主ハースの近傍の磁場を変化させ、プラズマビーム発生器からのプラズマビームを主ハースに収容された絶縁膜成膜用の蒸発物質32に導いて基板41上に絶縁膜を成膜するイオンプレーティング装置を用い、蒸発物質として棒状に成形されたものを用い、平均表面粗さ(Ra)1nm以下の絶縁膜を得る。

請求項（抜粋）：

プラズマビーム発生源と、真空容器内に配置されプラズマビームの入射面を持つハースとを含み、前記ハースの近傍に該ハースの中心軸に対して同心的に配置された環状永久磁石により定常磁界を形成し、前記ハースの中心軸に対して同心的に配置された電磁コイルにより調整磁界を前記定常磁界に重畳して前記ハースの近傍の磁場を変化させ、前記プラズマビーム発生源からのプラズマビームを前記ハースに収容された絶縁膜成膜用の蒸発材料に導いて基板上に絶縁膜を成膜するイオンプレーティング法により成膜され、前記蒸発材料として棒状に成形されたものを用い、平均表面粗さ(Ra)1nm以下を得ることを特徴とするイオンプレーティングによる絶縁膜の成膜方法。

IPC (6件)：

H01L 21/31 , C23C 14/08 , C23C 14/32 , G02F 1/1333 500 , H01L 21/203 , H05H 1/24

FI (7件)：

H01L 21/31 B , C23C 14/08 D , C23C 14/08 N , C23C 14/32 B , G02F 1/1333 500 , H01L 21/203 Z , H05H 1/24

Fターム (36件)：

2H090HB03X , 2H090HC03 , 2H090JB02 , 2H090JB03 , 2H090JD10 , 4K029AA09 , 4K029BA03 , 4K029BA35 , 4K029BA44 , 4K029BA46 , 4K029BA50 , 4K029BA58 , 4K029BB02 , 4K029BC05 , 4K029BC09 , 4K029CA03 , 4K029DB08 , 4K029DD02 , 5F045AA18 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB37 , 5F045AB40 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AF07 , 5F045BB09 , 5F045CA09 , 5F045DP05 , 5F045EH13 , 5F103AA02 , 5F103BB14 , 5F103BB23 , 5F103DD27 , 5F103LL01 , 5F103RR02

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-133137 出願人：スタンレー電気株式会社
半導体製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-282094 出願人：京セラ株式会社
金属酸化物の被覆方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-164021 出願人：住友重機械工業株式会社

全件表示

前のページに戻る