特許
J-GLOBAL ID：200903034556203242

電子機器、半導体装置およびその作製方法

発明者：
前川 慎志

前川 慎志 について

, 
山崎 舜平

山崎 舜平 について

, 
小路 博信

小路 博信 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-018883
公開番号（公開出願番号）：特開2005-244204
出願日： 2005年01月26日
公開日（公表日）： 2005年09月08日
要約：
【課題】 現状では、製造プロセスにスピンコート法を用いる成膜方法が多く用いられている。今後、さらに基板が大型化すると、スピンコート法を用いる成膜方法では、大型の基板を回転させる機構が大規模となる点、材料液のロスおよび廃液量が多い点で大量生産上、不利と考えられる。【解決手段】 本発明は、半導体装置の製造プロセスにおいて、液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザー光などで選択的に露光した後、現像することによって微細な配線パターンを実現する。本発明は、導体パターンを形成するプロセスにおいて、パターニング工程が短縮でき、材料の使用量の削減も図れるため大幅なコストダウンが実現でき、大面積基板にも対応できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に、感光性材料を含む導電膜材料を液滴吐出法で吐出して第1の導電膜パターンを形成する工程と、 前記第1の導電膜パターンに対してレーザー光を選択的に照射して露光する工程と、 露光された第1の導電膜パターンを現像して、該第1の導電膜パターンよりも幅の狭い第2の導電膜パターンを形成する工程と、 前記第2の導電膜パターンを覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、 前記ゲート絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/786 ,  H05B33/14
FI (7件)：
H01L29/78 627C ,  G02F1/1368 ,  H01L21/288 Z ,  H05B33/14 A ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/88 C
Fターム (178件)：
2H092JA26 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA08 ,  2H092KA18 ,  2H092KA20 ,  2H092KB05 ,  2H092KB06 ,  2H092KB14 ,  2H092KB15 ,  2H092KB22 ,  2H092MA02 ,  2H092MA08 ,  2H092MA12 ,  2H092MA16 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  3K007AB18 ,  3K007BA06 ,  3K007DB03 ,  3K007GA00 ,  4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB00 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD28 ,  4M104DD51 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF16 ,  4M104FF21 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  4M104GG19 ,  4M104HH09 ,  4M104HH20 ,  5F033GG00 ,  5F033GG04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK19 ,  5F033LL00 ,  5F033NN19 ,  5F033PP15 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033VV07 ,  5F033VV10 ,  5F033VV15 ,  5F033XX01 ,  5F033XX10 ,  5F033XX14 ,  5F033XX33 ,  5F033XX34 ,  5F110AA16 ,  5F110AA28 ,  5F110BB02 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG28 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK35 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110PP05 ,  5F110PP06 ,  5F110PP24 ,  5F110QQ01 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 平面表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-011992   出願人：ソニー株式会社
  • 成膜装置及び成膜方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-364943   出願人：東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (5件)
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