特許
J-GLOBAL ID：200903034559694352
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-227159
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042951
出願日： 2005年08月04日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】処理容器内のプラズマ生成部と被処理基板を支持する基板支持台の間にガス通過プレートを設けた場合に、プラズマ処理の所望の面内均一性を達成することができるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】処理容器内で処理ガスのプラズマを生成し、基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、処理容器内のプラズマ生成部とサセプタ2の間に設けられたガス通過プレート60は、貫通孔形成領域61がサセプタ2上の基板Wに対応する領域およびその外方領域を含み、貫通孔形成領域61は、基板Wの中央部分に対応する第1領域61aと、第1領域61aの外周に配置された第2領域61bと、第2領域61bの外周に配置され基板Wの外方領域を含む第3領域61cとを有し、第1領域61aの貫通孔62aの径が最も小さく、第3領域61cの貫通孔62cの径が最も大きい。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
被処理基板を処理するための真空排気可能な処理容器と、
前記処理容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入機構と、
前記処理容器内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成機構と、
前記処理容器内で被処理基板を支持する基板支持台と、
前記処理容器内のプラズマ生成部と前記基板支持台との間に設けられ、プラズマ化されたガスが通過する複数の貫通孔を有するガス通過プレートと
を具備し、
前記ガス通過プレートは、前記貫通孔が形成された貫通孔形成領域が前記基板支持台に支持されている基板に対応する領域を含み、さらにその外方領域に広がるように設けられ、
前記貫通孔形成領域は、それぞれ貫通孔の径が異なる、被処理基板の中央部分に対応する第1領域と、被処理基板の外側部分に対応するように前記第1領域の外周に配置された第2領域と、前記第2領域の外周に配置され基板の外方領域を含む第3領域とを有し、
前記第1領域の貫通孔の径が最も小さく、前記第3領域の貫通孔の径が最も大きくなるように前記複数の貫通孔が形成されることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (19件)：
4K030EA03
, 4K030EA05
, 4K030FA01
, 4K030KA45
, 4K030LA15
, 5F045AA09
, 5F045AA20
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AD08
, 5F045DC51
, 5F045DP03
, 5F045EC01
, 5F045EF05
, 5F045EF07
, 5F045EF09
, 5F045EH02
, 5F045EH17
, 5F045EK07
出願人引用 (2件)
審査官引用 (2件)
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プラズマ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-176443
出願人：株式会社東芝
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プラズマ処理装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-077172
出願人：ソニー株式会社
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