特許
J-GLOBAL ID：200903034569166362
ATM仮想パス容量設定方法およびATM仮想パス容量設定装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
磯村 雅俊 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-059686
公開番号（公開出願番号）：特開2001-251304
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：
【要約】【課題】 従来の技術では、実運用中のATM網のATM仮想パス容量設定に必要な測定項目を正確に測定することができない。【解決手段】 セル計数部1でセル送出待バッファ121に到着するセル数を所定の周期T毎に計数し、この計数結果に基づき平均計数部4aで周期kT毎の合計セル数をkで割った値を求める。次に、所定の周期T’(T’>T)で、超過頻度算出部7,8により各周期における各セル数毎に、当該セル数以上の各セル数を合計し、この合計値を、周期T’内の全てのセル数で割り、その結果の対数をとり、減衰率算出部11で、その対数を所定のm次式で近似して単位時間当たりに到着するセル数の補分布の減衰率を求める構成とし、この減衰率を用いて、セル損失目標率を満足するATM仮想パス容量を求める。
請求項（抜粋）：
非同期転送モード網(ATM網)におけるATM交換機間に設定するATM仮想パスの容量を、セル損失目標率を満足するように算出するATM仮想パス容量設定装置のATM仮想パス容量設定方法であって、前記ATM仮想パスに付随するセル送出待バッファに到着するセル数(第1の到着セル数)を予め定められた周期T毎に計数して第1の記憶手段に記憶する第1のステップと、前記第1の記憶手段の記憶内容を読み出して、周期kT(k:2以上の整数)毎の合計セル数をkで割った値(第2の到着セル数)を求めて第2の記憶手段に記憶する第2のステップと、予め定められた周期T’(T’>T)で、前記第1の記憶手段の記憶内容を読み出し、各第1の到着セル数毎に、当該セル数以上の各第1の到着セル数を合計した値を前記周期T’内の全ての第1の到着セル数で割った値(第1の到着セル数しきい値超過頻度)を求め、該第1の到着セル数しきい値超過頻度の対数をとった第1の対数しきい値超過頻度を第3の記憶手段に記憶する第3のステップと、前記周期T’で、前記第2の記憶手段の記憶内容を読み出し、各第2の到着セル数毎に、当該セル数以上の各第2の到着セル数を合計した値を前記周期T’内の全ての第2の到着セル数で割った値(第2の到着セル数しきい値超過頻度)を求め、該第2の到着セル数しきい値超過頻度の対数をとった第2の対数しきい値超過頻度を第4の記憶手段に記憶する第4のステップと、前記第3の記憶手段から前記第1の対数しきい値超過頻度を読み出し、予め決められたm次式で近似した第1の推定対数しきい値超過頻度を求め、前記第4の記憶手段から前記第2の対数しきい値超過頻度を読み出して前記m次式で近似した第2の推定対数しきい値超過頻度を求め、該第2の推定対数しきい値超過頻度および前記第1の推定対数しきい値超過頻度に基づき、単位時間当たりに到着するセル数の補分布の減衰率を求める第5のステップと前記単位時間当たりに到着するセル数の補分布の減衰率を用いて、前記セル損失率を満足するATM仮想パス容量を求めることを特徴とするATM仮想パス容量設定方法。
Fターム (11件)：
5K030HA10
, 5K030HB29
, 5K030KX13
, 5K030LB19
, 5K030LC02
, 5K030MB15
, 9A001BB04
, 9A001CC03
, 9A001DD10
, 9A001JJ12
, 9A001KK56
