特許
J-GLOBAL ID：200903034581728007

窒化ガリウム基板の製造方法

発明者：
ウィリアム エス.ウォン

ウィリアム エス.ウォン について

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デイビッド ケー.ビージェルセン

デイビッド ケー.ビージェルセン について

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ミヒャエル アー.クナイスル

ミヒャエル アー.クナイスル について


出願人/特許権者：
ゼロックス・コーポレーション

ゼロックス・コーポレーション について


代理人 (1件)： 中島 淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-358811
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249453
出願日： 2002年12月11日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】 窒化物ベースの半導体構造に用いる窒化ガリウム基板を製造する。【解決手段】 まずサファイア基板上で窒化ガリウム層を成長させる。窒化ガリウム層上で、フォトレジストなどのマスク層、金属層または誘電体層をストライプにパターン形成する。次いで窒化ガリウム層をサファイア基板までエッチングしてトレンチを形成し、サファイア基板上に窒化ガリウムの区分領域を設ける。或いは、サファイア基板上で、予めパターン形成した窒化ガリウム層上に選択領域を再成長させるとトレンチが得られる。
請求項（抜粋）：
窒化物ベースの半導体構造物に用いる窒化ガリウム基板の製造方法であって、サファイア基板に窒化ガリウム層を蒸着するステップと、前記窒化ガリウム層を通って前記サファイア基板に達する、前記窒化ガリウム層を複数の窒化ガリウム基板に分割する少なくとも1つのトレンチをエッチングするステップと、前記複数の窒化ガリウム基板の、前記サファイア基板とは反対側の面に支持基板を接着するステップと、前記複数の窒化ガリウム基板から前記サファイア基板を取り除くステップと、前記複数の窒化ガリウム基板から前記支持基板を取り除くステップと、を含む、窒化ガリウム基板の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/04 ,  C30B 29/38 ,  H01S 5/323 610
FI (5件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/34 ,  C30B 25/04 ,  C30B 29/38 D ,  H01S 5/323 610
Fターム (38件)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TC17 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030AA20 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030LA12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA12 ,  5F073CA02 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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