特許
J-GLOBAL ID:200903034597445692

熱伝導性高分子成形体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-341467
公開番号(公開出願番号):特開2008-150525
出願日: 2006年12月19日
公開日(公表日): 2008年07月03日
要約:
【課題】発熱した部品からの放熱用途において、より好適に使用可能な熱伝導性高分子成形体及びその製造方法を提供する。【解決手段】熱伝導性高分子成形体は、調製工程、相転移工程、配向工程、成形工程、及び加熱工程を経て製造される。調製工程では、熱液晶性高分子を含有する液晶性組成物が調製される。相転移工程では、熱液晶性高分子が液晶状態に相転移される。配向工程では、熱液晶性高分子が流動場、せん断場、磁場、及び電場から選ばれる少なくとも一種の外場によって配向される。成形工程では、熱液晶性高分子の配向を維持した状態で、熱液晶性高分子を液晶状態から固体状態に相転移させることにより熱液晶性高分子成形体が成形される。加熱工程では、熱液晶性高分子成形体に加熱処理が施されて熱伝導性高分子成形体が得られる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
熱液晶性高分子を含有した液晶性組成物を調製する調製工程と、 前記液晶性組成物中の熱液晶性高分子を液晶状態に相転移させる相転移工程と、 前記熱液晶性高分子を、流動場、せん断場、磁場、及び電場から選ばれる少なくとも一種の外場によって配向させる配向工程と、 前記熱液晶性高分子の配向を維持した状態で、熱液晶性高分子を液晶状態から固体状態に相転移させることにより熱液晶性高分子成形体を成形する成形工程であって、熱液晶性高分子成形体において、X線回折測定から下記式(1)によって求められる熱液晶性高分子の配向方向に沿った配向度αが0.5以上1.0未満である成形工程と、 配向度α=(180-Δβ)/180...(1) (式(1)において、Δβは、X線回折測定によるピーク散乱角を固定して、方位角方向の0〜360度までのX線回折強度分布を測定したときの半値幅を表す) 前記熱液晶性高分子成形体に加熱処理を施すことにより熱伝導性高分子成形体を得る加熱工程とを備えることを特徴とする熱伝導性高分子成形体の製造方法。
IPC (1件):
C08J 5/00
FI (1件):
C08J5/00
Fターム (15件):
4F071AA43 ,  4F071AA48 ,  4F071AA80 ,  4F071AF35 ,  4F071AF44 ,  4F071AG13 ,  4F071AG21 ,  4F071AG28 ,  4F071AG32 ,  4F071AH12 ,  4F071AH13 ,  4F071AH16 ,  4F071BB05 ,  4F071BB06 ,  4F071BC01
引用特許:
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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