特許
J-GLOBAL ID:200903034647195463

半導体装置、半導体装置ユニットおよびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-296646
公開番号(公開出願番号):特開2003-100945
出願日: 2001年09月27日
公開日(公表日): 2003年04月04日
要約:
【要約】【課題】 パッケージ型の半導体装置において、簡易な構成および製造方法で三次元積層構造を可能とする半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置10は、半導体素子12およびボンディングワイヤ14が樹脂封止されて、薄厚の直方体形状に形成された樹脂封止部18とされる。樹脂封止部18の上面には、樹脂封止された半導体素子12を囲うように4辺に沿って複数の孔部20aが形成される。一方、樹脂封止部18の下面にも、上面の孔部20aと対応する位置に複数の孔部20bが形成される。ボンディングワイヤ14に接続される端子16は、孔部20aと孔部20bとで構成される言わば貫通孔部20の深さ方向中間位置において四囲を樹脂封止部18で挟持された状態に形成される。端子16は、孔部20aの開口および孔部20bの開口に向けてそれぞれ露出しており、上下双方向から端子16に電気的に接続可能である。
請求項(抜粋):
半導体素子と、外部接続端子と、該半導体素子と該外部接続端子とを接続するインターポーザと、少なくとも該半導体素子を封止する樹脂封止部とを備えた半導体装置において、該樹脂封止部に高さ方向に孔部を形成し、該孔部の内部に該外部接続端子を設け、該外部接続端子は該孔部の上開口および下開口に向けて露出してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 23/12 501 ,  H01L 23/50
FI (2件):
H01L 23/12 501 V ,  H01L 23/50 W
Fターム (3件):
5F067AA02 ,  5F067CB03 ,  5F067CB04
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (8件)
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