半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮園博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-171325
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022575
出願日： 2002年06月12日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】動作寿命を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】上記半導体装置は、p型シリコン基板1(第1導電層)と、ゲート電極5(第2導電層)と、p型シリコン基板1とゲート電極5との間に形成され、塩素が導入されたシリコン酸化膜(SiO2膜)からなるゲート絶縁膜5とを備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電層と、第2導電層と、前記第1導電層と第2導電層との間に形成され、塩素が導入されたシリコン酸化膜とを備えた、半導体装置。

IPC (6件)：

H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (4件)：

H01L29/78 301G , H01L21/316 X , H01L29/78 371 , H01L27/10 434

Fターム (59件)：

5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF04 , 5F058BF23 , 5F058BF29 , 5F058BH02 , 5F058BJ04 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP24 , 5F083EP57 , 5F083ER02 , 5F083ER16 , 5F083ER17 , 5F083ER22 , 5F083GA21 , 5F083JA05 , 5F083NA01 , 5F083PR12 , 5F083PR15 , 5F083PR36 , 5F101BA01 , 5F101BA28 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB04 , 5F101BB05 , 5F101BC02 , 5F101BC11 , 5F101BD35 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF03 , 5F101BH03 , 5F101BH06 , 5F101BH09 , 5F140AA06 , 5F140AA19 , 5F140BA01 , 5F140BD06 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG27 , 5F140BG32 , 5F140BG37 , 5F140BG51 , 5F140BG53 , 5F140BH18 , 5F140BJ27 , 5F140BK13 , 5F140BK25 , 5F140CB04

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平4-157765
特開平4-340766
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-319624 出願人：株式会社日立製作所

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