特許
J-GLOBAL ID：200903073853481982
半導体製造方法及び電界効果トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 昌典 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-539530
公開番号（公開出願番号）：特表2002-509361
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2002年03月26日
要約：
【要約】トランジスタゲートを形成する方法は、半導体基板上にゲート酸化層を形成する過程を含む。塩素がゲート酸化層内に提供される。ゲートがゲート酸化層に近接して形成される。別の方法では、ゲートとゲート酸化層は重合関係に形成され、ゲートは相対する端部とそれらの間に中央部を有する。少なくとも塩素又はフッ素の一つが、中心部よりゲート端部の少なくとも一つにより近い部分において、重合関係にあるゲート酸化層内に、高濃度となるように提供される。中央領域は、フッ素及び塩素が殆ど無い状態が好ましい。少なくとも塩素又はフッ素の一つを有する側壁スペーサを、ゲートの相対する端部に近い部分に設けることによって、塩素及び/又はフッ素の導入が行われる。側壁スペーサは、フッ素又は塩素がゲート酸化層内へゲートの下まで拡散するのに効果的な温度及び時間のもとで、アニール処理される。上述の方法及び他の方法により製造されたトランジスタ及びトランジスタのゲートが開示される。更に、トランジスタは、半導体材料及びこれとの間にゲート酸化層が位置するトランジスタのゲートを含む。ソースは、ゲート端部の一つの横方向近傍に設けられ、ドレインはゲート端部の他の横方向近傍に設けられる。第一絶縁スペーサがゲート端部の近傍に設けられ、この第一絶縁スペーサは塩素又はフッ素の少なくとも一つを不純物として有する。第二絶縁スペーサが、第一絶縁スペーサの上に形成される。
請求項（抜粋）：
トランジスタのゲートの形成方法であって、該方法は、 半導体基板の上にゲート酸化物層を形成する過程と、 前記ゲート酸化物層内に塩素を提供する過程と、 前記ゲート酸化物層に近接してゲートを形成する過程と、 からなることを特徴とするトランジスタのゲートの形成方法。
Fターム (25件)：
5F140AA19
, 5F140AA23
, 5F140AA24
, 5F140BD05
, 5F140BD15
, 5F140BD17
, 5F140BE13
, 5F140BE14
, 5F140BE15
, 5F140BE16
, 5F140BE17
, 5F140BF04
, 5F140BF11
, 5F140BF18
, 5F140BG08
, 5F140BG09
, 5F140BG12
, 5F140BG14
, 5F140BG20
, 5F140BG22
, 5F140BG51
, 5F140BG53
, 5F140BG54
, 5F140BH15
, 5F140CB01
